Transporte Eletrônico em Nanofios de Te

Descrição

As transições de fase fotoinduzidas observadas em materiais à base de calcogênios têm sido motivo de debates constantes na literatura [1–3]. Enquanto alguns grupos afirmam que o aquecimento destes materiais, quando expostos à luz, é o responsável pelas transições de fase, outros autores argumentam que a excitação eletrônica tem uma contribuição importante para o fenômeno. Com o intuito de entender os mecanismos por trás da fotocristalização, a técnica de espectroscopia Raman polarizado tem sido aplicada, pois permite analisar quantitativamente todo o processo de nucleação e crescimento da fase cristalina [4], bem como a orientação cristalográfica das estruturas formadas. No presente projeto, propõe-se assim comparar resultados obtidos para a dependência dos modos vibracionais de nanofios de Te com os aspectos associados ao fenômeno de quantização geométrica da condutividade devido ao tamanho nanométrico destas estruturas. Para isso, serão produzidos nanofios de Te com diversos diâmetros, sintetizados sobre SiO 2/Si por meio da técnica de deposição física em fase vapor. Serão então produzidos dispositivos à base de Te por meio da técnica de litografia eletrônica, e caracterizações de transporte eletrônico em baixas temperaturas serão conduzidas em criostato de ciclo fechado de He.

Palavras-chave

• telúrio
• transporte eletrônico
• materiais de Van der Waals
• quantização geométrica da condutividade

Grupo de pesquisa

Ciências dos Materiais - UFV

Financiamento

Com financiamento